基于55纳米高压工艺制程的OTP IP实现上架

  珠海创飞芯科技有限公司，作为国内领先的一站式存储NVM IP供应商，近日宣布其基于55纳米高压（55HV 1.2V/6V/32V Process）工艺制程的OTP IP(一次性可编程存储IP核）已在国内排名前三的晶圆代工厂实现IP上架。该OTP IP严格通过了非易失性存储考核标准的三个批次可靠性测试验证，满足了晶圆代工厂的上架标准，最终成功实现上架。这一重要里程碑标志着创飞芯在为客户提供安全、可靠的55HV工艺制程OTP IP解决方案上迈出了坚实的一步。

  “我们很高兴看到55HV工艺OTP IP在晶圆代工厂的成功上架，这不仅证明了创飞芯在非易失性存储IP的技术实力，也为我们的合作伙伴和客户带来了实实在在的价值。”创飞芯的首席执行官George Wang表示，“这一里程碑进一步完善了我们OTP IP产品在各个重要工艺节点的布局，能够为客户提供更高可靠性、低成本、小面积的OTP IP解决方案。”

  OTP IP在LCD显示驱动应用:

  OTP(One-Time Programmable) IP ，一次可编程知识产权核，烧入后可使得数据不能被再次更改和清除。随着嵌入式应用越来越广泛，OTP 可起到保护硬件设计的作用，同时能够保护产品安全，防止被非法侵入，被广泛应用于显示驱动、图像传感器、电源管理芯片、MCU、蓝牙芯片等领域。

  基于55HV（55HV 1.2V/6V/32V Process）工艺制程的OTP IP被广泛应用于LCD显示驱动领域，OTP在该领域中发挥着画面校正、确保显示效果稳定的重要作用。由于画面闪烁或抖动是因为IC中的V-Common 电压偏移所造成的，IC在通过光传感器检测不同V-Common电压下面板闪烁模式的亮度表现，寻找在不同V-Common电压下面板的最小交流波形幅度后，通过OTP记录此时的最佳值，烧录于IC中，从而实现消除画面闪烁的目的。

  创飞芯55HV工艺OTP IP具备高良率及支持宽压供电等优势:

  l高可靠性及高良率：创飞芯核心团队于2013年已成功获得OTP相关专利，在反熔丝OTP IP技术上积累了深厚的基础，反熔丝 OTP IP的底层技术是通过氧化层击穿编程，并且由于制造工艺不需要进行任何更改，因此反熔丝 OTP IP可以获得与标准 CMOS 工艺相同的良率和高可靠性。同时，创飞芯在设计中加入了冗余，可使OTP获得更高可靠性及良率。

  l支持宽压供电：该IP支持宽压供电，能够适应不同电压等级的电源，兼容性更强，适用的工作应用场景更广泛，并且能够提供更高的稳定性。

  l丰富量产验证：创飞芯HV平台的OTP在2015年已经有第一家显示驱动行业龙头客户量产，并持续稳定供货至今，已量产累计超过10万片以上晶圆，得到了广泛的市场验证及客户认可，安全可靠。

  关于创飞芯科技:

  创飞芯目前与国内外多家先进晶圆制造厂商都建立了深度战略合作关系，工艺节点已验证覆盖包括180/130/110/90/55/40/28/22纳米等，并且能够根据不同工艺节点和不同技术路线的特点，帮助客户采用能满足其应用场景和特定需求，在功耗、尺寸、性能、成本等各方面指标达到需求的OTP IP最优方案。

  创飞芯作为大陆领先的一站式NVM IP供应商，能够提供OTP/MTP/eFlash/Nor/Nand/EEPROM等覆盖一次、多次到100万次可编程的全站式NVM IP，目前已累计服务客户超过50家，超10亿颗芯片使用创飞芯的NVM IP产品。创飞芯以其创新的技术和卓越的服务，期待持续为全球半导体市场提供领先的NVM IP解决方案。

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